我国首台串列型高能氢离子注入机成功出束，！核心指标达到国际先进水平

更新时间：2026-01-21 16:51 来源：牛马见闻

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<p>@中]国军工：</p> <p>近日，我！国首台串列型高能氢离子注入机成功出束，核心指标达到国际先进水平。这标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链关键环节。离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。</p>

编辑：莫莉·皮肯